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SK하이닉스, 2세대 10나노급 미세공정 적용 DDR4 D램 개발 - 이전 세대 대비 생산성 20% 향상, 전력소비 15% 이상 감축 - 내년 1분기부터 공급 시작해 시장 수요에 적극 대응
  • 기사등록 2018-11-12 16:13:09
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▲ SK하이닉스가 개발한 2세대 10나노급(1y) DDR4 D램



[기계신문] SK하이닉스가 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용한 8기가비트 DDR4 D램을 개발했다고 12일 밝혔다.


2세대 제품은 1세대(1x) 대비 생산성이 약 20% 향상되었으며, 전력소비도 15% 이상 감축해 업계 최고 수준의 전력 효율도 갖췄다. 데이터 전송 속도 또한 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적인 구현이 가능하다.


이번 신제품에는 데이터 전송 속도 향상을 위해 ‘4Phase Clocking’ 설계 기술을 적용했다. 이는 데이터 전송 시 주고 받는 신호를 기존 대비 두 배로 늘려 제품의 동작 속도와 안정성을 향상시킨 기술이다. 고속도로 톨게이트의 요금정산소를 늘려 차량 통행을 원활히 하는 것과 같은 이치다.


SK하이닉스는 전력소비를 줄이고 데이터 오류발생 가능성을 낮추기 위해 독자적인 ‘센스 앰프(Sense Amp) 제어 기술’도 도입했다. 이는 D램 셀에 작은 전하 형태로 저장되어있는 데이터를 감지하고 증폭시켜 외부로 전달하는 ‘센스 앰프’의 성능을 강화하는 기술이다.


D램에서는 이처럼 ‘센스 앰프’의 역할이 중요한데, 공정이 미세화될수록 트랜지스터의 크기가 줄어들어 데이터 감지 오류 발생 가능성이 높아진다. SK하이닉스는 이러한 문제를 극복하기 위해 트랜지스터의 구조를 개선해 오류 발생 가능성을 낮췄다.


또한, 데이터 증폭/전달 기능을 하는 회로에 전력 소모가 낮은 내부 전원을 추가해 동작에 필요한 만큼의 전력만을 공급함으로써 불필요한 전력 사용을 방지했다.


DRAM 마케팅담당 김석 상무는 “이번에 개발 완료된 2세대 10나노급 DDR4는 고객이 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 제품으로, 내년 1분기부터 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것”이라고 밝혔다.


권혁재 기자 hjk@100m.co.kr

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